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當(dāng)前位置:首頁(yè)技術(shù)文章靜電場(chǎng)描繪實(shí)驗(yàn)儀/靜電場(chǎng)描繪試驗(yàn)儀/導(dǎo)電微晶靜電場(chǎng)描繪儀

靜電場(chǎng)描繪實(shí)驗(yàn)儀/靜電場(chǎng)描繪試驗(yàn)儀/導(dǎo)電微晶靜電場(chǎng)描繪儀

更新時(shí)間:2013-08-30點(diǎn)擊次數(shù):2342

 靜電場(chǎng)描繪實(shí)驗(yàn)儀/靜電場(chǎng)描繪試驗(yàn)儀/導(dǎo)電微晶靜電場(chǎng)描繪儀型號(hào):DP/GVZ-3

靜電場(chǎng)描繪實(shí)驗(yàn)儀/靜電場(chǎng)描繪試驗(yàn)儀/導(dǎo)電微晶靜電場(chǎng)描繪儀主要參數(shù):

1.DP/GVZ-3型為雙層,同步探針,內(nèi)置四種電板(同心圓、平行導(dǎo)線、聚焦、劈尖形或飛機(jī)機(jī)翼電場(chǎng))。
2.規(guī)格為410mm*240mm,100mm,K4-2導(dǎo)線。
3.微晶導(dǎo)電層的均勻性,實(shí)驗(yàn)值誤差為小于2%。
4.電源輸出范圍(直流)為7.00v—13.00V,分辨率為0.01V。
5.采用多圈電位器調(diào)節(jié)電壓,調(diào)節(jié)細(xì)度可達(dá)0.01V。

四種電(配數(shù)碼管電源3位半)
(同心圓R為7cm,r為1cm, 其他電距離均為10cm)
1. 靜電場(chǎng)描繪實(shí)驗(yàn)儀/靜電場(chǎng)描繪試驗(yàn)儀/導(dǎo)電微晶靜電場(chǎng)描繪儀儀器簡(jiǎn)介
本儀器采用各向均勻?qū)щ姷奈⒕?dǎo)電板,在其上面安置些不同的金屬電。當(dāng)有直流電流經(jīng)兩個(gè)電在導(dǎo)電板上通過時(shí),由于微晶導(dǎo)電板相對(duì)于金屬導(dǎo)體電導(dǎo)率低得多,故在兩個(gè)電間沿電流線會(huì)存在不同的電勢(shì),這種不同的電勢(shì)可用數(shù)字電壓表直接測(cè)出來。分析各測(cè)量點(diǎn)電勢(shì)的變化規(guī)律,就可間接地得知相似的靜電場(chǎng)中電勢(shì)分布規(guī)律。
2.靜電場(chǎng)描繪實(shí)驗(yàn)儀/靜電場(chǎng)描繪試驗(yàn)儀/使用方法
(1)接線:
靜電場(chǎng)穩(wěn)壓電源輸出+(紅)接線柱用紅色電線連接描繪架(紅)、-(黑)接線柱用黑色電線連接描繪架(黑)接線柱。穩(wěn)壓電源探針輸入+(紅色)接線柱用紅色電線連接探針架連接線柱。將探針架好,并使探針下探頭置于導(dǎo)電微晶電上,啟動(dòng)開關(guān),校正,后測(cè)量。
(2)測(cè)量:
開啟測(cè)量開關(guān),如數(shù)字顯字為0 V,則移動(dòng)探針架至另電上,數(shù)字顯10 V,般常用10 V,便于運(yùn)算。然后縱橫移動(dòng)探針架,則電源電壓表頭顯示讀數(shù)隨著運(yùn)動(dòng)而變化。如要測(cè)0 V~10 V間的何條等勢(shì)(位)線,般可選0 V~10 V間某電壓數(shù)據(jù)相同的8~10個(gè)點(diǎn),再將這些點(diǎn)連成光滑的曲線即可得到此等勢(shì)(位)線。
(3)記錄:
實(shí)驗(yàn)報(bào)告都需要記錄,以備學(xué)生計(jì)算或驗(yàn)證,對(duì)模擬法作深刻研究,則需在描繪架上鋪平白紙,用橡膠磁條吸住,當(dāng)表頭顯示讀數(shù)認(rèn)為需要記錄時(shí),輕輕按下,即能清晰記下小點(diǎn),般所需記錄電壓請(qǐng)參閱講義或由課教師定奪,為實(shí)驗(yàn)清晰快捷,每等位線8~10點(diǎn),然后連接即可。